SK海力士2026年里程碑：首度引入ASML高NA EUV光刻机，半导体技术新飞跃

近日消息，SK海力士的EUV材料技术团队成员在近期的技术研讨会上向外界透露，该公司规划于2026年引领行业革新，首次部署ASML先进的High NA EUV光刻机，此举有望进一步推动半导体制造技术的边界，为全球芯片产业的精密化进程增添新动力。

SK 海力士的一位工程师表示该公司新近成立了一个 High NA EUV 研发团队，正致力于将 High NA EUV 光刻技术应用到最先进 DRAM 内存的生产上。

综合报道，在几大先进逻辑制程与存储半导体企业中，英特尔率先拿下了全球第一台商用 High NA EUV 光刻机，其第二台 High NA 机台也已在运至俄勒冈州研发晶圆厂的途中。

而台积电和三星电子两家企业用于研发目的的首台 High NA EUV 光刻机也分别有望于 2024 年内、2024 年四季度至 2025 年一季度交付。

SK海力士赢得博通HBM订单，预计明年1b DRAM产能达16 - 17万

近日消息，在存储芯片市场上，韩国的SK海力士成功地斩获了一份向博通供应高带宽内存（HBM）芯片的大订单。不过呢，截至目前，这份订单具体的金额数额还没有对外公布。这一订单的背后其实有着比较复杂的市场态势。要知道，SK海力士在HBM芯片的供应方面已经处于一种非常忙碌的状态。

消息人士称，博通计划从 SK 海力士采购存储芯片，并将其应用到一家大型科技公司的 AI 计算芯片上。SK 海力士预计将在明年下半年供应该芯片。

由于需要同时向英伟达和博通供应 HBM，SK 海力士肯定会调整其 DRAM 产能预测。这家公司计划明年将其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 产能扩大到 14~15 万片（单位是 300mm 直径的 12 英寸晶圆）。随着与博通达成新的协议，TheElec 预计这一数字将增加到 16~17 万片 300mm 晶圆。

博通本月早些时候表示，它正在与三家大型云服务提供商，TheElec 认为可能是谷歌、Meta 和字节跳动，三方共同开发 AI 芯片。此外，还有消息称博通正在与苹果和 OpenAI 合作开发 AI 芯片。

SK 海力士在 10 月份的第三季度电话会议上表示，预计 HBM 将在第四季度占其 DRAM 业务营收的 40% 份额。随着 SK 海力士与博通达成协议，预计这一比例将进一步上升。

SK海力士HBM内存受追捧：美股七大科技巨擘纷纷寻求定制合作

近日消息，SK海力士的HBM内存业务副总裁Ryu Seong-soo在最近的SK集团2024年度利川论坛上透露，众多国际科技巨头纷纷表达了意向，希望SK海力士能为其定制开发高性能的HBM产品。这表明SK海力士在高端存储解决方案领域的技术实力受到业内广泛认可，其HBM内存技术或将赋能更多前沿科技产品。

注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨头苹果、微软、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英伟达、亚马逊以及 Meta。

Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不断工作，与 M7 企业进行电话沟通，并为满足这些企业的需求四处奔波以整合 SK 海力士内部和韩国各地供应链企业的工程资源。

这位高管认为，随着定制产品需求的增加存储行业即将迎来范式转变的临界点，SK 海力士将持续利用这些变化带来的机会发展其内存业务。

Ryu Seong-soo 还表示，随着 AI 市场的细分，SK 海力士未来不仅将继续提供面向大众市场的解决方案，还将推出性能可达现有型号 20~30 倍的差异化产品。

参考此前报道，SK 预计将在 2025 年下半年推出采用 MR-MUF 键合工艺的 12 层堆叠 HBM4 内存产品，而更高容量的 16 层堆叠 HBM 有望于 2026 年相关需求出现时发布。