三星电子瞄准2025至2026年，革新移动内存领域：LP Wide I/O技术将位宽推升至512bit

7月17日消息，三星电子公布了其在移动内存技术上的最新突破——LP Wide I/O（简称LPWIO）内存的研发进展，这是根据该公司最新的2024年异构集成路线图所透露的信息。

值得注意的是，三星电子以往曾提到过一种名称与其相近的 LLW (Low Latency Wide I/O) 内存，尚不能确认两者关系。

LP Wide I/O 内存将于 2025 年一季度实现技术就绪，2025 下半年至 2026 年中实现量产就绪。

路线图显示，LP Wide I/O 内存单封装位宽将达到现有 HBM 内存的一半 —— 即 512bit。

作为对比，目前的 LPDDR5 内存大多数是单封装四通道共 64bit，未来的 LPDDR6 内存也仅有 96bit。

更大的位宽意味着三星电子的 LP Wide I/O 内存可提供远胜于现有移动内存产品的内存带宽，满足设备端 AI 应用等场景的需求。

在相对较小的移动内存芯片上实现 512bit 位宽，势必需要堆叠 DRAM 芯片，但 HBM 采用的 TSV 硅通孔方式也不适合移动内存各层 DRAM 间的互联。

因此三星电子将在 LP Wide I/O 内存上采用一项名为 VCS (全称 Vertical Cu Post Stack) 的全新垂直互联技术。

同 SK 海力士的 VFO 技术类似，三星电子的 VCS 技术也是将扇出封装和垂直通道结合在一起。三星电子表示，VCS 先进封装技术相较传统引线键合拥有 8 倍和 2.6 倍的 I/O 密度和带宽；

相较 VWB 垂直引线键合 全称 Vertical Wire Bonding，疑似指代 SK 海力士的 VFO 技术) ，三星电子宣称其 VCS 技术的生产效率是前者 9 倍。

三星电子在图片中还提到，其 LPDDR6 内存也预计于 2025~2026 年量产就绪。

三星电子深化HBM内存团队重组，精调先进封装体系结构

近日消息，三星电子旗下设备解决方案（DS）部门正着手一系列内部结构调整，其中HBM（高带宽内存）团队及AVP（先进封装）部门成为改革焦点。此举旨在强化其在高速内存技术与先进封装解决方案领域的领先地位，通过优化组织架构以加速技术创新与市场响应速度。

这也是 5 月全永铉代替庆桂显担任 DS 部门负责人后的一次大规模组织结构调整。三星电子此前成立了 HBM 产能质量提升团队，专责 HBM4 开发，同原本的 HBM 团队并行。

新成立的“HBM 开发团队”将由三星电子副社长、高性能 DRAM 产品设计专家孙永洙（音译自 Son Young-Soo）担任主管。

这一新团队将取代之前的两个团队，总揽 HBM3E 和 HBM4 内存的开发工作，集中人力物力在 HBM 业务上追赶领先者 SK 海力士。

三星电子一直在积极推动其 HBM3E 内存通过英伟达的测试，以在这家最大 HBM 需方的高价值 HBM3E 订单中分得一杯羹，不过尚未实现这一目标。

三星电子还将先进封装业务团队更名为“AVP 开发团队”，将原团队的销售营销组织分拆到各个业务部门，并将 HBM 封装开发人员并入到 HBM 开发团队以提升后者竞争力。

更名后的 AVP 开发团队将专注于先进封装的研发工作。

此外，三星电子还决定重组设备技术研究所，强化半导体工艺及设备的技术支撑能力，为半导体工艺效率的提升提供更广泛的技术支持。

三星Galaxy Ring智能戒指新警示：远离磁性干扰，健身举重慎戴为妙

近日消息，三星最近在其官方更新的支持文档中不经意间透露了关于其新款智能穿戴设备——Galaxy Ring智能戒指的详细信息。这一发现引发了市场对三星即将进入可穿戴智能戒指市场的广泛猜想与讨论。

避免握持磁铁 / 磁性物品

三星明确 Galaxy Ring 智能戒指的步数计数准确性和其他功能可能会受到磁铁的影响。

在支持页面中写道：“如果你戴着戒指时手里拿着磁铁或磁性物体，某些功能（如步数计数）可能无法正常工作。”

不推荐举重等健身时使用

三星表示 Galaxy Ring 佩戴时，用户应该避免举重、提起重物等动作，尤其是涉及抓握重量物品的锻炼。

三星表示在举重等场景下佩戴 Galaxy Ring，可能会导致佩戴者手部受伤。Galaxy Ring 可能会在压力下弯曲或断裂，从而可能伤害用户的手指。

长期不使用时的保养

如果用户不佩戴 Galaxy Ring 并将其长时间存放在盒子中，存储支架上的橡胶垫可能会在戒指的内圈上产生轻微的凹痕。

三星强调：“这不会影响戒指的功能和性能”。